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WATPCM参数说明

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来源: 作者: 2018-10-28 12:00:17

WAT/PCM 参数说明

导读:

半导体器件的栅极氧化层往往因为存在各种损伤或金属离子污染导致的缺陷引起电学性能的劣化.这通常会影响诸如memory的refresh time, CCD/CIS的dark current等特性的退化.所以在制造过程中需要对其特性进行测试。

PCM(Process Control Monitor)  WAT(Wafer Acceptance Test)  GOI (Gate Oxide Integrity): 栅极氧化层的完整性  半导体器件的栅极氧化层往往因为存在各种损伤或金属离子污染导致的缺陷引起电学性能的劣化.这通常会影响诸如memory的refresh time, CCD/CIS的dark current等特性的退化.所以在制造过程中需要对其特性进行测试。通常手段是测试栅极氧化层的崩溃电压(breakdown voltage)值来表示GOI的优劣程度以确认氧化膜的实际品质  Oxide thick: 氧化层厚度  栅极氧化层的等效厚度  Vth: MOS管阈值电压  Idsat: CMOS饱和状态下的漏极电流  MOS管在饱和状态以及栅极电压一定的条件下(通常Vd=Vg=Vdd, Vs=Vb=0),单位栅极宽度上源漏之间的电流.该值越大,器件速度越快  Sheet Resistance: 薄膜电阻  具有均匀厚度薄膜电阻的量度.通常用于反映半导体器件中金属,多晶硅, 掺杂区域的电阻特性.其单位为欧姆/平方。

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